-
SMPD先進絕緣封裝充分發揮SiC MOSFET優勢
SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
-
相較IGBT，SiC如何優化混動和電動汽車的能效和性能？
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
-
滿足當今電源需求的全系列柵極驅動電源產品
電源是電子設備的基礎，其中的柵極驅動器是穩定提供設備電源的關鍵。柵極驅動器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產生高電流驅動輸入。本文將為您介紹柵極驅動電源與DC-DC轉換器的技術概念，以及由Murata推出的隔離柵極驅動電源產品系列的功能特性。
2023-06-02
-
安森美和上能電氣攜手引領可持續能源應用的發展
智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布上能電氣（Sineng Electric）將在其公用事業級太陽能逆變器和引領業界的200 kW 儲能系統（ESS）中集成安森美的EliteSiC SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模塊（PIM）。兩家公司合作開發的優化方案，將最大程度地提高太陽能逆變器及儲能變流器的性能。
2023-05-17
-
IGBT模塊是如何失效的？
IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-05-11
-
瑞能半導體在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解決方案
【2023年5月9日 - 德國紐倫堡】當地時間5月9日，全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護器件以及功率模塊，豐富的產品矩陣彰顯了瑞能半導體領先的產品實力和對未來電力電子行業可持續發展的思考，受到了與會者的高度關注。CEO Markus Mosen先生率領公司研發工程師、市場部、銷售部組成的參展團隊出席了活動現場。
2023-05-10
-
1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統性能（上）
本文介紹了針對電機驅動進行優化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態損耗，并具備高可控性。而二極管因為優化了場截止設計，其振蕩發生的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2023-05-04
-
為什么IGBT是適合斬波應用的器件
斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質是直流控制的脈寬調制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位，它不僅關系到調速的技術性能，而且直接影響設備的運行安全和可靠性，因此，如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。
2023-04-29
-
快速開關TRENCHSTOP 5 IGBT
緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開發者一直追求的目標。現在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(PF)。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這里，功率因數校正(PFC)是強制性的，對于PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價比的開關器件。
2023-04-28
-
超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優化現代設計。
2023-04-24
-
SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家帶來更多有價值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。
2023-04-24
-
如何通過優化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰
在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對熱性能的影響，以及如何通過優化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響。現在，讓我們來看看我們如何能夠改善電氣性能。同樣，我們將以采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術的新型1200V、600A EconoDUAL? 3模塊為例，該模塊針對通用驅動（GPD）、商業、建筑和農業車輛（CAV）、不間斷電源（UPS）和太陽能等應用進行了優化。
2023-04-10
- 800V牽引逆變器：解鎖電動汽車續航與性能躍升的工程密鑰
- 熱敏電阻技術全景解析：原理、應用與供應鏈戰略選擇
- 如何破解導航系統中MEMS IMU數據同步困局？
- 非線性響應破局！新一代eFuse跳變曲線如何提升能效？
- 電源測量的導線布局如何影響測量精度？
- 小信號放大新思路，低成本儀表放大器的差分輸出設計
- 隔離SEPIC轉換器如何破解反激式拓撲的EMI與調節困局？
- 維科杯·OFweek2025年度評選：揭秘工業自動化及數字化轉型“領航者”，誰將脫穎而出？
- 尋找傳感器界的“隱形王者”！維科杯·OFweek 2025年度評選等你來戰
- 厚膜電阻在通信基礎設施中的關鍵應用與技術突破
- 碳膜電位器技術解析：從原理到選型與頭部廠商對比
- 貿澤電子聯合ADI與Samtec發布工業AI/ML電子書：探索工業自動化未來
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
