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什么是DC-DC轉換器的熱仿真
在“DC-DC轉換器的熱仿真”系列中，將介紹使用ROHM Solution Simulator對耐壓80V、輸出5A的DC-DC轉換器IC“BD9G500EFJ-LA”組成的電源電路進行電路工作仿真，還會介紹可以同時執行該IC和外置器件肖特基勢壘二極管“RB088BM100TL”溫度仿真的仿真環境及其使用方法。
2022-12-21
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巔峰對決：三大頂流半導體廠商高端工藝逐鹿，你更看好誰？
集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達到理論、實踐和經濟極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術和晶圓廠制造規程緊密相連。
2022-12-21
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用于信號和數據處理電路的DC－DC轉換器解決方案
數據處理 IC（如現場可編程門陣列 （FPGA）、片上系統 （SoC） 和微處理器）在電信、網絡、工業、汽車、航空電子和國防系統中的應用范圍不斷擴大。這些系統的一個共同點是不斷提高處理能力，從而導致原始功率需求的相應增加。設計人員非常了解高功率處理器的熱管理問題，但可能不會考慮電源的熱管理問題。
2022-12-21
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如何在智能水表中應用超聲波感測技術
本文介紹了超聲波流量傳感器在智能水表中的操作和集成，并簡要回顧了住宅水表精度的國際標準。然后舉例說明了適用于這些水表的組件，包括 Audiowell 的超聲波傳感器組件，Texas Instruments 的模擬前端 (AFE)、時間數字轉換器 (TDC) IC、微控制器單元和評估板，以及“支持”組件，包括 Silicon Labs 支持安全啟動的射頻收發器，以及 Tadiran 的長壽命一次電池。最后，本文提出了一些關于提高超聲波流量計精度的建議。
2022-12-21
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使用控制器保護您的高邊開關
在本設計解決方案中，我們回顧了在工廠環境中運行的執行器中使用的高邊開關電路的一些具有挑戰性的工作條件和常見故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監控電路運行，并在發生這些情況時采取適當措施防止損壞。
2022-12-21
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貿澤電子聯手Analog Devices推出新電子書，探索電源管理領域的創新
2022年12月20日 – 貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices聯手推出一本新電子書，探索近期的電源管理創新技術，以及如何將這些技術應用于各種產品中。這本名為《Power Management for All of Tomorrow’s Innovations》（面向所有未來創新的電源管理）的電子書探討了面向尖端應用的新技術發展，這些應用包括電動汽車、資產追蹤、可穿戴設備和物聯網 (IoT) 設備。
2022-12-20
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宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
汽車行業發展創新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發展，同應對大多數工程挑戰一樣，設計人員把目光投向先進技術，以期利用現代超結硅（Super Junction Si）技術以及碳化硅（SiC）技術來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產品來說，可靠性也是一個重要的話題。
2022-12-20
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簡述碳化硅SIC器件在工業應用中的重要作用
電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。
2022-12-19
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碳化硅器件驅動設計之寄生導通問題探討
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-12-16
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通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題
高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰。
2022-12-16
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分析自動化第三季度市場數據，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏制造業訂單增長最好，印刷、制藥、暖通空調、食品機械和電梯持平，其它行業都有降低。相關應用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設備制造商影響有變化，PLC和工控機用HMI方案和網關也有市場需求起伏。其中伺服、CNC增長率為負，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長，其中PLC整體表現相對亮眼，達到兩位數以上的增長率。
2022-12-16
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使用 SiC JFET 接近完美開關
碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術，實現了價值接近材料的理論極限（圖 1）。這個品質因數直接關系到開關的實際性能及其經濟性，與競爭技術相比，每個晶圓的芯片數量更多，性能相當。
2022-12-16
- 線繞電阻在電力電子與工業控制中的關鍵作用
- 線繞電阻在精密儀器與醫療設備中的高精度應用和技術實踐
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