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如何正確地為太陽能逆變器應用選擇IGBT
如今市場上先進功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項應用選擇到合適的功率元件，的確是一項艱巨的工作。就以太陽能逆變器應用來說，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低。
2011-09-27
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設計
隨著電力電子技術的快速發(fā)展，新型功率開關器件IGBT(絕緣柵雙極晶體管)迅速占領了市場，滿足了人們把大功率、超高頻率開關元件實現(xiàn)固態(tài)化的期望，有著完全取代電真空管的趨勢。這也為在雷達發(fā)射機脈沖調(diào)制器中采用IGBT作為開關管以替代電真空管奠定了理論和實踐基礎。
2011-09-26
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IR 推出可靠的超高速1200 V IGBT
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出針對感應加熱、不間斷電源（UPS）太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2011-09-14
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注重解決系統(tǒng)效率、體積和可靠性的新型元器件方案
科技部發(fā)布的《十二五科技發(fā)展規(guī)劃》將太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、新能源汽車列為十二五規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)重點，為幫助工程師解決在設計上述系統(tǒng)時遇到的效率、體積和可靠性等問題，第七/八屆新型節(jié)能設計技術研討會邀請來自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術專家，重點探討了包括超快恢復二極管、薄膜電容、鋁電容、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內(nèi)的電子元器件在太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領域中的應用。本期半月談通過三大主題分別介紹第七/八屆新型節(jié)能設計技術研討會的技術精華。
2011-09-14
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詳談IGBT電力電子裝置的應用
IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點。而IGBT的驅(qū)動和保護電路是電路設計的難點和重點，是整個裝置運行的關鍵環(huán)節(jié)。
2011-09-09
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IR 推出可靠的超高 1200 V IGBT 以降低開關及傳導損耗
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出針對感應加熱、不間斷電源（UPS）太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2011-09-07
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關于IGBT導通延遲時間的精確測量方法
在某些對器件時間特性要求較高的工程應用中，需要更精確地確定IGBT的導通延遲時間。因而高精度的測量時間間隔是測量領域一直關注的問題。本文從精簡結(jié)構(gòu)，同時兼顧精度的角度出發(fā)，提出一種基于時間測量芯片TDC-GP2來精確測量IGBT導通延遲時間系統(tǒng)，用于測量IGBT的導通延遲時間，實現(xiàn)簡單且成本低的一種較為理想的測量方案。
2011-09-06
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單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路
為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅(qū)動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負偏置柵驅(qū)動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結(jié)果。
2011-08-29
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新型節(jié)能設計技術研討會圓滿舉辦 打造西部電子高能效設計技術盛會
由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯(lián)合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節(jié)能設計技術研討會成功舉辦。本屆研討會成都站活動于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦；8月25日移師西安曲江國際會展中心，與中國（西安）電子展同期舉行。來自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術專家全面介紹了包括超快恢復二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內(nèi)的電子元器件在太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領域中的應用
2011-08-27
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綠色能源計劃推動中國IGBT市場增長
據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復合年度增長率將達13%...
2011-08-15
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IGBT構(gòu)成的交流傳動逆變器的設計
隨著半導體器件的發(fā)展，IGBT越來越多的被應用到交流傳動技術中。本文主要分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護電路結(jié)構(gòu)，并對主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說明，同時提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路的設計。
2011-08-04
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高能效功率電子技術領域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術領域的領先廠商，安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展。
2011-07-27
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