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新型LED電源無需電解電容，壽命超過4萬小時
創(chuàng)意電子新近推出的TK5401就是這樣一款LED驅動電源IC，它具有不需要DC電源特性中所必須的電解電容的特性，使得LED壽命高達4萬小時以上。據介紹，TK5401封裝內置了高電壓功率MOS管及控制電路，因去除電解電容實現了小型化、低成本，并且實現了LED燈的長壽命和高效能。
2010-05-07
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D類音頻功率放大器的熱耗散分析
D類放大器的散熱片可以根據輸出功率的半峰值安全地設計尺寸。但是，設計師們仍必須確定準確的散熱片的尺寸，成本和應用。放大器的PCB設計也可以用于減小散熱量。采用大規(guī)模集成電路的銅墊以及連接IC的所有最寬的PC走線可以最大限度的降低功耗。本文詳細介紹D類音頻功率放大器的熱耗散分析
2010-05-05
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CMIC：薄膜電池發(fā)展投資超晶硅電池7-8倍
“薄膜電池成本比晶硅電池成本低，但動輒數億元投資卻是晶硅電池的7—8倍，再加上在生產過程中同步產生的技術成本、設備成本、運輸成本，其整體成本相比晶硅電池并不具有明顯優(yōu)勢，甚至會做虧本。”有關人士透露，目前薄膜電池的轉化效率平均在10%左右，相比晶硅電池的17%—20%，還有一定距離。
2010-05-05
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恩智浦半導體北京聲學工廠遷址擴產
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）今天在北京經濟技術開發(fā)區(qū)(BDA)為其在此落成的聲學解決方案新工廠舉行了盛大的開幕典禮。從而將恩智浦半導體先進的矩形揚聲器生產線從奧利地維也納轉移到中國來，以便進一步的提高中國聲學解決方案工廠的生產能力。
2010-05-04
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LM3464 ：國半推出首款具有動態(tài)電壓調整功能的大功率LED 驅動器
美國國家半導體公司（National Semiconductor Corporation ）宣布推出業(yè)界首款具有動態(tài)電壓調整功能并擁有多條輸出通道的大功率 LED 驅動器。這款控制器的特點是可以驅動多達4串LED ，每串LED 的驅動電流大小一致，偏差極小，而且效率極高。這款型號為 LM3464 的控制器屬于美國國家半導體PowerWise? 高能效系列，可以最大化提高系統(tǒng)效率，精簡系統(tǒng)設計，從而降低開發(fā)成本，尤其適用于需要大量采用 LED 驅動器的照明系統(tǒng)，例如工業(yè)照明系統(tǒng)、路燈及汽車照明系統(tǒng)。
2010-05-04
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iSuppli：太陽能電池板跌價 PV系統(tǒng)建量今年將增至136億瓦
iSuppli近日驟然上調今(2010)年內，太陽電光能(Photovoltaic，PV)系統(tǒng)的預期建置量，并表示先前太陽能電池板價格暴跌，估計在德國的銷售量將因此向上激增。
2010-05-04
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2010年3月臺灣液晶面板銷售額環(huán)比增加25％
2010年3月友達光電（AU Optronics，AUO）的大屏幕液晶面板供貨量為環(huán)比增加22％的977萬張，創(chuàng)下歷史新高。原因是面向品牌廠商的電視機面板需求出現增加，個人電腦用面板的采購持續(xù)活躍。
2010-05-04
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IC設計產業(yè)緊貼創(chuàng)新應用，后起之“秀”6月驚艷登場
就在不久前舉行的香港電子展上，瑞芯微一口氣推出和展示了五十多款移動互聯創(chuàng)新應用方案，涵蓋iMID（5英寸屏幕以內）、3G MID（內置3G SIM卡）、平板電腦（中國芯iPad）、智能手機（Android+3G+720P）、電子閱讀器（俗稱電子書）、無線數碼相框等一系列革新性終端產品。盡管這是一家芯片廠商，但它的展位上幾乎看不到芯片的影子。
2010-04-30
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SO-8系列：恩智浦發(fā)布全系列LFPAK封裝功率產品
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強無損耗的封裝）全系列汽車功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優(yōu)勢和經驗，新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車應用進行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。
2010-04-30
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HDI系列:Sensortechnics推出3V電池的高精度壓力傳感器
Sensortechnics推出3-V電池的高精度壓力傳感器，HDI系列壓力傳感器能夠測量的絕對、差分或規(guī)表壓力,測量范圍從10 mbar到高達5 bar，3Vdc工作電源，使其適用于電池供電的手提或手持設備中。該傳感器實現了精準數字信號調理和在0°~85°C范圍內實現總誤差帶(TEB)優(yōu)于±0.5% FSS的精度。
2010-04-29
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Si8499DB：Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT?封裝的P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業(yè)內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
2010-04-29
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ADI推出高性能MEMS 麥克風
當前許多便攜式電子設備正處于音頻變革的前鋒。雖然近年來設計師一直致力于開發(fā)一些令人激動的新功能，如無線互聯網訪問和移動電視接收，但音頻功能的發(fā)展始終落在后頭。Analog Devices, Inc.，全球領先的超高性能音頻信號處理技術提供商，最新推出兩款 MEMS 麥克風，用于向便攜式電子產品提供先進的音頻功能。
2010-04-29
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