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ML610Q380：羅姆推出單芯片低功耗家電用微控制器
羅姆集團旗下的LAPIS Semiconductor Co., Ltd.開發出一款單芯片的低功耗微控制器“ML610Q380系列”產品，此產品將以往用于家電的控制IGBT的PWM電路和LCD驅動器等微控制器功能、以及高音質、低功耗的語音播放功能集于一枚芯片，這在業內尚屬首家。由于以往用于家電的微控制器沒有語音播放功能，因此想追加語音功能時，語音合成功能和功放需要由不同的芯片組成。而使用本LSI產品，不僅可以芯片一體化，而且可以替換掉以往用于家電的微控制器，輕松實現語音功能，是需要語音輸出的家用電器和遙控器的最佳選擇。
2012-04-13
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高能效設計——中國北車永濟IGBT性能探秘
我國電傳動系統的龍頭企業——北車永濟于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting在深圳舉辦的第九屆高能效設計研討會。
2012-04-11
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高能效設計研討會聚焦新能源/新能源汽車四大設計熱點
在科技部發布的《十二五科技發展規劃》中，新能源系統和新能源汽車是十二五規劃的產業重點之一。同時，積極利用新能源，發展新能源汽車也符合國際社會對節能減排的環保訴求。為了幫助新能源系統和新能源汽車廠商提高設計能力，CNT Networks攜手中國電子展、China Outlook Consulting召開高能效設計研討會，聚焦新能源和新能源汽車，講解動力電池管理、IGBT應用、薄膜電容和超級電容應用、MCU應用、逆變器設計和系統測試等技術要點。
2012-04-10
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聚焦電池管理與元器件替換 突破新能源/新能源汽車效率瓶頸
在科技部發布的《十二五科技發展規劃》中，新能源系統和新能源汽車是十二五規劃的產業重點之一。同時，積極利用新能源，發展新能源汽車也符合國際社會對節能減排的環保訴求。高能效設計研討會聚焦新能源和新能源汽車的關鍵技術問題，通過動力電池管理、IGBT應用、薄膜電容和超級電容應用、系統測試四大技術熱點的分享幫助工程師解決設計難題。
2012-04-09
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650V:飛兆半導體IGBT提高功率轉換應用的效率和系統可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效，滿足散熱法規，同時減少元件數目的挑戰。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產品，幫助設計人員應對這一行業挑戰。
2012-03-29
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IGBT模塊的作用
對IGBT的特性及使用時的注意事項進行了探討，提出了選擇和安裝過程中應該注意的方面。
2012-03-15
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IGBT整流器功率因數控制方法及CT損壞對整流器的影響
IGBT整流器是一種電壓型PWM整流器，具有能量雙向流動、恒定直流電壓控制，以及高功率因數控制（cosφ≈1.0）等特點。使用該類型整流器除了實現高功率因數節省電能外，還能夠減少電網諧波，省去電網側無功補償svc裝置。本文介紹IGBT整流器功率因數控制的方法及CT損壞對整流器的影響。
2012-02-29
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基于EXB841的IGBT驅動與保護電路設計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應用。但是，IGBT的門極驅動電路影響IGBT的通態壓降、開關時間、快開關損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數，并決定了IGBT靜態與動態特性。因此設計高性能的驅動與保護電路是安全使用IGBT的關鍵技術。
2012-02-21
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逆變H橋IGBT單管驅動+保護詳解
本文給逆變器的后級H橋電路換上IGBT管，從IGBT的驅動電路、電流采集電流和保護機制三個角度，深入了解IGBT的相關特性，發現采用峰值電流保護的措施能讓逆變H橋電路中的IGBT不會炸。
2012-02-07
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大功率變流器系統H橋低感疊層母線排設計
本文從實際出發，針對80kva/400a變流系統h橋母線排提出一種新的優化設計方案，從igbt布局，母排結構設計，緩沖吸收電路選擇等方面全方位保證母排電感參數達到最優，在實際應用中有很好的可行性和可靠性。
2012-02-07
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AUIR0815S：IR推出超低輸出阻抗車用柵極驅動IC
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用IC ── AUIR0815S，具備超過10 A 的高輸出電流，能夠驅動逆變器級的大型 IGBT 和 MOSFET，適用于混合動力汽車和電動汽車中的動力系統。
2012-02-02
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UCC27524/UCC27210(1)：TI推出高效率可靠MOSFET驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出3款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅動器，進一步壯大其MOSFET驅動器產品陣營。UCC27210與UCC27211是業界首批120 V啟動高低側雙通道輸出MOSFET驅動器，可在解決驅動器輸入-10 V直流電(VDC)抗擾度問題的同時，提供高達4 A的輸出電流。此外，TI還面向二次側同步整流器MOSFET及IGBT電源開關推出了業界速度最快的5 A雙通道低側驅動器UCC27524。
2012-01-17
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術博弈
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