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2010年便攜式電腦年增長率將達26% 平板電腦出貨量超5百萬
根據DisplaySearch第一季度Quarterly Advanced Notebook PC Shipment and Forecast Report，便攜式電腦市場預期在2010年增長到2億1千5百萬臺，營業額達1千170億美金。Apple iPad與其它電腦品牌陸續推出平板電腦將使得平板電腦市場急劇升溫。DisplaySearch認為平板電腦有機會從傳統翻蓋式筆記本電腦市場取得一些份額，而對于喜愛電子閱讀器消費者而言平板電腦也將是另一個好選擇。同時基于Apple公司主要銷售計劃與已知與內容服務商之間合作協議，我們估計初期大部分平板電腦將以北美與西歐市場為主。
2010-04-19
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國際 RFID 領導廠商恩智浦半導體、臺揚、AMS、RF-iT 新產品發表
-- 攜手打造“物聯網”的美夢RFID 國際領導廠商恩智浦半導體 (NXP Semiconductors)、臺揚科技、奧地利微電子公司(austriamicrosystems, AMS) 及RFiT ，共同展示隨插即用(PlugNPlay) RFID 解決方案，向物聯網邁進。
2010-04-19
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多晶硅產業將在2011年面臨大幅震蕩
多晶硅產業將在2011年面臨大幅震蕩。此結論來源于Bernreuter信息研究公司（以下簡稱Bernreuter研究）今日發布的最新研究報告《太陽能多晶硅的生產狀況》。多晶硅被視為半導體和光伏產業的供給原料，但在該市場于2009年轉至供過于求的狀態之前，多晶硅一直處于短缺。
2010-04-16
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不斷挑戰小型化，大河晶振以新的靈感創造最先進的產品
世間的流水滋潤著人們的生活，雖然江河日復一日的在流淌，然而每天流著不同的水。大河晶振也猶如匯入江河的源頭活水，不斷以新的靈感創造著最先進的產品。2010年4月9日，電子元件技術網記者在深圳會展中心第75界中國電子展（CEF）大河晶振（RIVER ELETEC）的展位上現場采訪了西安大河晶振科技有限公司總經理久恒理樹先生。
2010-04-16
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Vishay為MC AT薄膜電阻增加了新的外形尺寸和精度版本
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經發布了。
2010-04-14
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SiA975DJ：雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝。
2010-04-13
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次世代IPTV技術概覽
本文介紹利用IP網路與利用光纖到家（FiberToTheHome）技術，提供影像傳送服務的IPTV技術動向與功能。今后基于與內容保護、存取控制的CAS（ConditionalAccessSystem）、H.264/AVCTransCoder等外部系統整合的需求，必需開發安全、高品質次世代IP播放服務相關技術。
2010-04-13
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USB3.0的物理層測試探討
USB(Universal Serial Bus)即通用串行總線，用于把鍵盤、鼠標、打印機、掃描儀、數碼相機、MP3、U盤等外圍設備連接到計算機，它使計算機與周邊設備的接口標準化。在USB1.1版本中支持兩種速率：全速12Mbps和低速1.5Mbps；而USB2.0中支持三種速率：高速480Mbps、全速12Mbps、低速1.5Mbps。在2002年Intel把USB2.0端口整合到了計算機的南橋芯片ICH4上，推動了USB2.0的普及，目前除了鍵盤和鼠標為低速設備外，絕大多數設備都是速率達480M的高速設備。
2010-04-12
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Vishay推出具有業內最高容值的新款液鉭電容器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出通過了DSCC Drawing 10004認證的超高容值液鉭電容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有業內最高的容值，采用軸向T1、T2、T3和T4外形編碼。對于高可靠性應用，擴展的SuperTan? 10004采用玻璃至金屬的密封封裝，工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
2010-04-09
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
2010-04-08
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2009年度全球10大太陽能電池廠排名出爐
目前正值各大太陽能企業發布2009年年報以及知名分析機構、專業期刊公布2009年全球太陽能電池廠商排名期間。根據國際分析機構Phonoton International的數據，綜合各家知名太陽能電池廠商所公布的產出，以及參考分析機構的統計數據，2009年全球太陽能電池10大供應商的排名出爐了。
2010-04-07
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應材CEO：半導體設備市場整合期來臨
華爾街日報(WSJ)訪問應用材料(AppliedMaterials)執行長 MikeSplinter指出，半導體設備產業購并潮即將到來，半導體設備產業需要透過整并來維持成長速度。
2010-04-06
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