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大功率二極管晶閘管知識連載——熱特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2022-01-26
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IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
我們常常被告誡：實際應用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學并不死心：如果我只超了一點點呢，1210V就會擊穿嗎？如果只是一個非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
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功率半導體冷知識：IGBT短路結溫和次數
英飛凌IGBT模塊開關狀態下最高工作結溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。那么IGBT模塊一輩子都可以生活在這樣的舒適區享受人生嗎？
2021-12-28
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大功率二極管晶閘管知識連載——保護
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2021-12-25
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大功率二極管晶閘管知識連載——控制特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2021-12-22
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大功率二極管晶閘管知識連載——損耗
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2021-12-09
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IGBT的電流是如何定義的
IGBT的電流是器件基本參數之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設計工程師是遠遠不夠的，而且業內充滿著誤解和流言。
2021-11-29
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IGBT7與IGBT4在伺服驅動器中的對比測試
IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術平臺，它與IGBT4的性能對比一直是工程師關心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺伺服驅動中的測試，得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明，在連續大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結溫均低于IGBT4。
2021-11-26
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業
功率器件作為半導體產業的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數十年的發展，占據了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業界的持續關注。
2021-11-10
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無刷直流 (BLDC) 電機設計：新起點
無刷直流電機(BLDC)設計很復雜。在大量的MOSFET、IGBT和門極驅動器產品組合中開始選擇電子器件(舊的起點) 是茫然無助的。
2021-10-22
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IGBT換流回路中雜散電感的測量
換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩，EMI或者電壓過沖等問題。因此在電路設計的時候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測量方法以及模塊數據手冊中雜散電感的定義方法。
2021-10-14
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什么情況下應該從硅片轉換到寬帶隙技術？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉換到寬帶隙技術才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經很好地在業界得到大規模應用。這些器件在品質因數 (FoM) 方面不斷改進，加上在拓撲架構和開關機理等方面的進步，使工程師能夠實現更高的系統效率。
2021-09-15
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