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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC ...
2023-01-27
SiC MOSFET 溝槽柵
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簡化隔離式軟件可配置I/O通道設計的高集成度、系統級方法
本文介紹一種軟件可配置輸入/輸出(I/O)器件及其專用隔離電源和數據解決方案，該解決方案有助于應對系統級工業應用的設計挑戰。本文闡述了在設計單個IC時從系統級角度進行思考的優勢，并重點討論了建議解決方案的功耗優化功能。
2023-01-27
I/O 隔離電源 ADI
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MCU解決800V電動汽車牽引逆變器的常見設計挑戰的3種方式
電動汽車 (EV) 牽引逆變器是電動汽車的核心。它將高壓電池的直流電轉換為多相（通常為三相）交流電以驅動牽引電機，并控制制動產生的能量再生。電動汽車電子產品正在從 400V 轉向 800V 架構，這有望實現：
2023-01-20
MCU 電動汽車 牽引逆變器
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SIMO PMIC：為可穿戴設備電源設計打開方便之窗！
我們生活在一個被電子設備包裹的時代，這些設備使我們的學習、工作、鍛煉、旅行和交流等變得非常方便，尤其是可穿戴設備正在成為人們日常生活中不可或缺的一部分。在醫療應用中，可穿戴設備可用于監測心率、血壓、血氧水平、運動中燃燒的卡路里、睡眠跟蹤等。為了提供更好的用戶體驗，高性能、小尺...
2023-01-20
SIMO PMIC 可穿戴設備 電源設計
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使用RX單片機實現數字電源控制的示例
作為使用RX單片機進行逆變器控制的應用，以UPS為例對基于MCU的電源控制可行性進行介紹。RX-T系列主要應用于空調室外機和工業逆變器，在逆變器控制領域享有盛譽。近年來，還廣泛用于UPS、太陽能逆變器和EV充電器等電源控制應用中。本次以UPS電源控制應用為例，對基于MCU實現的電源控制進行介紹。UPS...
2023-01-19
RX單片機 數字電源控制
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垂直供電助力尖端數據處理
隨著先進工藝節點的出現，高性能人工智能 (AI) 處理器的功率不斷上升，內核電壓則在不斷下降。這些發展給電源系統設計人員帶來很大挑戰，例如需要管理因為供電網絡 (PDN) 阻抗壓降不斷上升的而引起大電流低電壓處理器電源引腳間的電壓梯度、瞬態性能規格以及功耗等難題。
2023-01-19
PDN 數據處理 AI
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瞬態事件如何影響LDO的動態性能？
有兩種瞬態響應。首先，負載瞬態響應是當低壓降穩壓器(LDO)提供的負載電流發生變化時，在LDO輸出端出現過沖或下沖。第二，線路瞬態響應是當連接的電壓在LDO輸入端發生變化時，在LDO輸出端發生過沖或下沖，具有不同的波形。
2023-01-17
瞬態事件 LDO 動態性能
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低電感ANPC拓撲結構集成新型950V IGBT和二極管技術，滿足光伏應用的需求
本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術。950V IGBT結構基于微溝槽理念，與典型1200V技術相比，新型950V IGBT和二極管的靜態損耗和/或開關損耗顯著降低。通過分析應用需求與功率模塊設計的相互作用，本文確定了功率模塊的應用結果和優化路徑。得益于經優化的功率模塊設計和采用950V技術，近期推出的無...
2023-01-16
ANPC拓撲結構 二極管 光伏
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電感飽和與開關電源之間的密切關系（中）
在【精選知識講堂】丨電感飽和與開關電源之間的密切關系，這篇講透了！(上篇）中，我們揭示了電感飽和與開關電源之間的親密關系，并從開關電源的控制模式開始，用各種數學方法分析了功率電感器飽和對開關模式電源控制運行的影響。
2023-01-16
電感飽和 開關電源
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