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基于IM828-XCC的高速電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計
隨著現(xiàn)代機(jī)床向高速、高精度方向發(fā)展，對機(jī)床主軸的技術(shù)要求越來越高。電主軸作為高速機(jī)床的重要組成部件之一，因其轉(zhuǎn)速高、體積小和優(yōu)異的動態(tài)性能等特性，可有效提高機(jī)床的動態(tài)平衡，避免了振動和噪聲。主軸電機(jī)放置在機(jī)床的主軸單元內(nèi)，直接驅(qū)動負(fù)載。因此，簡化了傳統(tǒng)的機(jī)械驅(qū)動結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了“零...
2023-08-17
IM828-XCC 高速電機(jī) 驅(qū)動器
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25kW電動汽車直流快速充電樁：設(shè)計技巧、技術(shù)和經(jīng)驗總結(jié)
便捷高效的充電能力是所有純電動汽車 (BEV) 成功的關(guān)鍵。充電的地方越多，充電的速度越快，大眾就越有可能購買 BEV，而非燃油車。
2023-08-16
電動汽車 充電樁 設(shè)計技巧
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設(shè)計高能效AC-DC電源不再需要MCU（和編碼）
電網(wǎng)因為諸多原因而被設(shè)計成交流電，但幾乎每臺設(shè)備都需要直流電才能運(yùn)行。因此，AC-DC 電源幾乎無處不在，隨著環(huán)保意識的加強(qiáng)和能源價格的上漲，此類電源的效率對于降低運(yùn)行成本和合理利用能源至關(guān)重要。
2023-08-16
AC-DC電源 MCU
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使用新型160V MOTIX三相柵極驅(qū)動器IC實(shí)現(xiàn)更好的電池供電設(shè)計（第一部分）
MOTIX?三相柵極驅(qū)動器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX?品牌的新成員，該品牌通過可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合提供低壓電機(jī)控制解決方案。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動器IC，采用5x5 mm2 QFN-32封裝，帶有熱效率高的裸露功率焊盤，并集成了電源管理單元(PMU)。這種易于使用的器件非常適合電池供電的工...
2023-08-16
MOTIX 柵極驅(qū)動器IC 電池供電
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電機(jī)控制設(shè)計基礎(chǔ)知識
軟件和硬件都是所有電機(jī)控制系統(tǒng)的一部分，例如 IGBT、WBG 半導(dǎo)體和 MCU。工業(yè)4.0的發(fā)展強(qiáng)烈依賴于電機(jī)控制，但能源消耗是一個關(guān)鍵問題，因為它正在快速增長，并且需求隨著設(shè)計的復(fù)雜性而增長，因為許多電子技術(shù)都有嚴(yán)格的控制要求。寬帶隙 (WBG) 材料就是這種情況的一個例子。
2023-08-15
電機(jī)控制設(shè)計 電機(jī)控制 軟件 硬件
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如何控制電源轉(zhuǎn)換器
功率轉(zhuǎn)換器控制在優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的整體性能方面起著至關(guān)重要的作用。通過適當(dāng)?shù)目刂疲梢韵薅鹊靥岣唠娫崔D(zhuǎn)換器的效率，減少能量損失并延長組件壽命。通過設(shè)計復(fù)雜的控制算法，可以有效、優(yōu)化地管理電源轉(zhuǎn)換，同時保持電源轉(zhuǎn)換器輸出電壓和電流恒定。
2023-08-15
電源轉(zhuǎn)換器 功率轉(zhuǎn)換器
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使用 DC／DC 降壓轉(zhuǎn)換器改進(jìn)汽車設(shè)計
汽車行業(yè)不斷尋求改進(jìn)，從而為汽車配備更多傳感器和新的電子功能。目標(biāo)是提高功率水平，目前工程師可能需要依靠降壓拓?fù)鋪磉_(dá)到新的效率標(biāo)準(zhǔn)。
2023-08-15
DC／DC 降壓轉(zhuǎn)換器 汽車設(shè)計
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貿(mào)澤電子2023上半年新增29家制造商合作伙伴
2023年8月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布2023上半年增加了29家新制造商合作伙伴，繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品供應(yīng)陣容。貿(mào)澤目前代理超過1,200個制造商品牌，為其遍布全球的設(shè)計工程師、采購人員、教育工作者和學(xué)生等客戶群體提供極其...
2023-08-15
貿(mào)澤電子 XSemi Banner
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動？這款I(lǐng)C方案推薦給您
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，...
2023-08-15
SiC MOSFET 柵極驅(qū)動
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