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長電科技鄭力：高性能先進封裝創新推動微系統集成變革

第24屆電子封裝技術國際會議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來自海內外學術界和產業界超700名專家學者、研究人員、企業人士齊聚一堂,共話先進封裝技術創新、學術交流與國際合作。長電科技董事、首席執行長鄭力出席會議,發表《高性能先進封裝創新推動微系統集成變革》主題演講。

2023-09-21

長電科技  先進封裝  微系統

驅動電源模塊密度的關鍵因素

依靠簡單的經驗法則來評估電源模塊密度的關鍵因素是遠遠不夠的，例如電源解決方案開關頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅動系統密度的負載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統和相關器件分開分析。先進的封裝和3D電源封裝? (3DPP?) 技術可讓電源模塊密度匹配其服務的相應...

2023-09-21

電源模塊  密度  關鍵因素

艾睿滿足不同電源應用需求的多樣化解決方案

電源是所有電子產品的基礎，為了滿足不同應用在功率、交直流轉換上的各種要求，便需要各式各樣的功率元器件、模塊，來提供合適、安全的電源，使系統能夠穩定運作。本文將為您介紹由艾睿電子推出的多款功率轉換解決方案，以及安森美（onsemi）、村田制作所（Murata）所推出的相關產品。

2023-09-21

艾睿  電源應用  解決方案

LDO穩壓器綜合指南：噪聲、折衷方案、應用和趨勢

本文介紹 LDO穩壓器選型 時幾個不太注意的關鍵參數。還針對特殊低噪聲要求，將開關穩壓器和LDO穩壓器進行了比較。此外還討論了行業趨勢，以及介紹需要高性能LDO穩壓器的應用。

2023-09-20

LDO穩壓器  噪聲  趨勢

IGBT驅動芯片進入可編程時代，英飛凌新品X3有何玄機？

俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅動IC。一顆好的驅動不僅要提供足夠的驅動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。

2023-09-19

IGBT驅動芯片  可編程  英飛凌

如何在有限空間里實現高性能？結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術是個好方法！

SiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實現了功率密度最大化和系統成本最小化。

2023-09-18

高性能  RDS(On)  表面貼裝

如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET

碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。

2023-09-18

英飛凌  IC  SiC MOSFET

主流觸控面板技術分析與觸控方案介紹

近年來，觸控板的應用可說是越來越廣泛，觸控式面板已經是一個當紅且快速成長的應用及市場。

2023-09-15

800V高壓快充能否助力小米汽車彎道超車

如今的汽車市場可謂是一片火熱，除了傳統車企以外，造車新勢力的加入更是給汽車市場增加了不少活力，并且市場上已經出現跨界造車的趨勢。

2023-09-15