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MOSFET Qrr—在追求能效時(shí)，忽視這一參數(shù)是危險(xiǎn)的
在電流流經(jīng)MOSFET體二極管的應(yīng)用中，反向恢復(fù)電荷Qrr會(huì)引起一些重大的挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)工程師需要仔細(xì)處理。在低功耗充電器和適配器產(chǎn)品應(yīng)用中，其開關(guān)頻率高且負(fù)載電流一般小于5A，對I2R損耗的關(guān)注較少，設(shè)計(jì)工程師應(yīng)密切關(guān)注動(dòng)態(tài)損耗。選擇低Qrr MOSFET可以降低尖峰值，提高效率，降低EMI輻射。
2019-09-09
MOSFET EMI輻射
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一個(gè)變頻器如何讓一臺(tái)電機(jī)實(shí)現(xiàn)雙速和一臺(tái)正反轉(zhuǎn)？
變頻器一拖二控制兩個(gè)不同功能的電機(jī)肯定不行，因?yàn)樗挥幸唤M電源輸出，只能分別單獨(dú)來完成。也就是說變頻器可以驅(qū)動(dòng)兩臺(tái)電機(jī)但只能運(yùn)行其中的一臺(tái)，有什么辦法來實(shí)現(xiàn)呢？
2019-09-09
變頻器 電機(jī)
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總結(jié)電工常用溫度保護(hù)元器件
針對設(shè)備進(jìn)行溫度保護(hù)成為十分必要的預(yù)防性保護(hù)手段，那么以下文章就跟大家聊一聊這方面的一些知識(shí)。
2019-09-09
溫度保護(hù) 元器件
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LED開關(guān)電源最實(shí)用的保護(hù)電路圖
LED開關(guān)電源過電流保護(hù)電路、LED開關(guān)電源過電壓保護(hù)電路、LED開關(guān)電源軟啟動(dòng)保護(hù)電路、LED開關(guān)電源過熱保護(hù)電路……行內(nèi)人士貢獻(xiàn)幾大實(shí)用電路圖，同你做好LED開關(guān)電源的保護(hù)設(shè)計(jì)。
2019-09-08
LED開關(guān)電源 保護(hù)電路
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26張經(jīng)典電路圖專業(yè)解析
熟練的讀懂和掌握基本的電路圖是每一個(gè)電工作業(yè)人員的基本技術(shù)要求，也是電工必須要掌握的基礎(chǔ)技能，可是對于剛?cè)腴T學(xué)習(xí)電工的師傅而言，可能覺得電路圖非常難懂，不容易接受，今天我們就重點(diǎn)來看看電工作業(yè)中的幾個(gè)經(jīng)典電路。
2019-09-06
電路圖
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技術(shù)干貨！巧置采樣電阻
根據(jù)歐姆定律，當(dāng)被測電流流過電阻時(shí)，電阻兩端的電壓與電流成正比。當(dāng)1W的電阻通過的電流為幾百毫安時(shí)，這種設(shè)計(jì)是沒有問題的。
2019-09-05
差分輸入 采樣電阻
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靜電保護(hù)原理和設(shè)計(jì)
一直想給大家講講ESD的理論，很經(jīng)典。但是由于理論性太強(qiáng)，如果前面那些器件理論以及snap-back理論不懂的話，這個(gè)大家也不要浪費(fèi)時(shí)間看了。任何理論都是一環(huán)套一環(huán)的，如果你不會(huì)畫雞蛋，注定了你就不會(huì)畫大衛(wèi)。
2019-09-05
靜電保護(hù) ESD 原理 設(shè)計(jì)
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兩種特殊的電容：X電容和Y電容
X電容是跨接在電力線兩線之間，即“L-N”之間，X電容器能夠抑制差模干擾，通常采取金屬化薄膜電容器，電容容量是uF級(jí)。Y電容通常都是陶瓷類電容器，一般成隊(duì)出現(xiàn)，多數(shù)是扁圓形外觀，顏色呈現(xiàn)藍(lán)色，能夠抑制共模干擾，Y電容容量是nF級(jí)。以下介紹兩者的區(qū)別，選擇方法和應(yīng)用。
2019-09-04
電容 X電容 Y電容
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30多種元器件失效狀態(tài)：短路、開路、損傷等
以下總結(jié)摘錄MIL-HDBK-338B，美軍可靠性設(shè)計(jì)手冊來為FTA（故障樹）做一些支持。如果我們想要進(jìn)行FTA的定量分析，一定要把可靠性預(yù)測先做完，在可靠性前一定要把電壓分布表和溫度分布先進(jìn)行初步的運(yùn)算，通過下面的的表格，大概可以預(yù)計(jì)失效發(fā)生的時(shí)候故障的分配比例。
2019-09-03
元器件失效 短路 開路
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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